3nm成最佳突围契机
在纳米制程工艺中，更高的制程工艺也意味着芯片上的晶体管更加集中，而晶体管过于集中会导致晶体管源极和漏极的沟道缩短，晶体管栅极的电流不能从源极流向漏极，更容易引发量子隧穿效应，从而使逻辑电路失效。
据业内说法，目前纳米制程工艺的极限在3nm。超过3nm后，量子效应会使晶体管失去开关的作用，进而使逻辑电路失效。联发科董事长蔡明介表示，3nm之后研发将会遇到极大的困难，预计会在2025年遇到技术瓶颈。
在3nm之后晶圆制程工艺的研发上，各企业将会停滞较长一段时间。而这段时间，将会是中芯国际追赶国际晶圆制程工艺水平的机会。
此次中芯国际在科创板上市，目的就在于加快晶圆代工技术的研发脚步，力求在3nm极限制程工艺的机遇下追上国际半导体尖端水平。不过，晶圆制程工艺的技术进步是一个积累的的过程，中芯国际想要在3nm制程工艺的瓶颈期追上国际水平，仍面临很大的压力。
作为国内半导体产业的龙头企业，中芯国际背负着国内半导体产业技术突围的希望。虽然前路艰难，但中芯国际仍必须负重前行，毕竟作为国内最高技术水平的代表，中芯国际已经退无可退。
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